Template-Confined Growth of X-Bi2MoO6 (X: F, Cl, Br, I) Nanoplates with Open Surfaces for photocatalytic oxidation
Zeynab Khazaee - Amir Hossein Cheshme Khavar - Ali Reza Mahjoub
Zeynab Khazaee - Amir Hossein Cheshme Khavar - Ali Reza Mahjoub
Department of Chemistry, Faculty of Basic Sciences, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran - Department of Basic Sciences, Farhangian University, Tehran, Iran - Department of Chemistry, Faculty of Basic Sciences, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran
زبان مقاله : انگلیسی |
تعداد صفحات مقاله : 1 صفحه |
نوع مقاله : چکیده |
ISC کد مقاله در : ISC4026_524535
چکیده
The present work describes a series of two-dimensional architecture of CTAB-assisted X-Bi2MoO6 (X: F, Cl, Br, I) with open surfaces for adsorption and photodegradation of RhB.The effects of Halogen-doping and surfactant on the physicochemical properties of Bi2MoO6 are investigated by different analysis. Based on the XRD patterns, the crystal planes of Bi2MoO6 were affected by the substitution of X− anions for the host O2− (mainly by F−) [1]. FE-SEM images confirmed the confined growth of nanoplates under the influence of CTAB template, which leads to surface doping of more halogen ions within oriented nucleation process [2]. The results indicated all of the X-doped catalysts, especially F-doped sample, show enhanced photocatalytic activity with different levels, due to lower band gap, improved charge separation, and surface properties.کليدواژه ها
Photocatalytic degradation, Bi2MoO6, halogen-dopingنحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:Khazaee , Zeynab , 1398 , Template-Confined Growth of X-Bi2MoO6 (X: F, Cl, Br, I) Nanoplates with Open Surfaces for photocatalytic oxidation , دومین کنفرانس ملی کاتالیست انجمن شیمی ایران
انتشار دهنده
محل انتشار : دومین کنفرانس ملی کاتالیست انجمن شیمی ایرانمشخصات برگزارکننده همایش : دانشگاه خوارزمي
تعداد مقالات : 215
کد اختصاصی :
۹۸۱۹۱-۲۸۷۱۶
a>
دیگر مقالات این رویداد
© کلیه حقوق متعلق به موسسه استنادی و پایش علم و فناوری جهان اسلام (ISC) می باشد.